王阳元，微电子学家。浙江宁波人。1958年北京大学物理系毕业。北京大学微电子学研究所教授、所长。主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器，是我国硅栅N钩道MOS集成电路技术开拓者之一。提出了多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，对实践有重要的指导意义。研究了亚微米电路的硅化物/多晶硅复合栅结构的应力分布。发现磷掺杂对固相外延速率的增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用。提出了SOI器件浮体效应模型和改进措施。发展了新型SOI器件结构，与合作者一起提出了超高速多晶硅发射极晶体管的新的解析模型和先进双极工艺技术。近期又研究亚0.1Чm器件和集成电路技术以及微机电系统(MEMS)。
1995年当选为中国科学院院士。