王鼎盛，物理学家。中国科学院物理研究所研究员。生于重庆市南川县。1962年毕业于北京大学物理系，1966年中国科学院物理研究所研究生毕业。主要从事计算物理研究。与他人合作，从密度泛函理论出发，用表面能带方法，计算在非磁材料上的超薄铁磁膜的物理性质，研究了磁性和原子层数的关系，说明并不存在磁性“死层”，并预言在超薄铁磁薄膜中原子的磁矩可以显著大于在体材料中的磁矩，后为实验所证实发展了磁晶各向异性的理论计算方法，计算结果与实验结果符合较好，提出的有效配位作用分析方法被同行广泛使用，还发展了高阶交换作用磁体的计算发展了从第一原理出发对表面吸附层的电子结构的计算，比较严格地处理了电荷转移问题和基底影响问题开辟了从第一原理出发计算晶体的非线性光学性质的理论，对我国计算材料学的发展做出了贡献。
2005年当选为中国科学院院士。