郑有炓

名 人 简 介

郑有炓，半导体材料与器件物理专家。生于福建大田。1957年毕业于南京大学物理系。现任南京大学物理系教授。从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件。提出……

张效祥

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张效祥，计算机专家。浙江海宁人。1943年毕业于武汉大学电机系。50年代末，领导中国第一台大型通用电子计算机的仿制，并在此后的35年中主持中国自行设计的从电子管、晶体管到大规模集成电路各代大型计算机的研制，为中国计算机事业的创建、开拓和发展起了重要作用。70年代中期，领导和直接参与并率先在中国开……

吴宏鑫

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吴宏鑫，控制理论与控制工程专家。生于江苏丹徒。1965年毕业于清华大学自动控制系。现任中国空间技术研究院研究员。主要从事航天和工业领域的自适应控制和智能控制理论与应用研究。提出了“全系数自适应控制理论和方法”，这是一套完整的系统性和实用性很强的自适应控制理论和方法，对于一类对象在参数估计未收敛到……

吴德馨

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吴德馨，女，半导体器件和集成电路专家。河北乐亭人。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子中心研究员。60年初，作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。六十年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算……

王阳元

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王阳元，微电子学家。浙江宁波人。1958年北京大学物理系毕业。北京大学微电子学研究所教授、所长。主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器，是我国硅栅N钩道MOS集成电路技术开拓者之一。提出了多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系，对实践有重要的指……

王守武

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王守武，半导体器件物理学家。江苏苏州人。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位，1949年获博士学位。中国科学院半导体研究所研究员、微电子中心名誉主任。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷……

王守觉

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王守觉,半导体电子学家。原籍江苏苏州，生于上海。1949年毕业于上海同济大学。中国科学院半导体研究所研究员。1958年在国内首次研制成功锗合金扩散高频晶体管，并在109工厂进行小批量生产，应用于我国研制的晶体管化高速计算机。1959－1963年负责研究成功全部硅平面工艺技术，并研制成功五种硅平面型晶……

唐稚松

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唐稚松，计算机科学与软件工程专家。湖南长沙人。1950年毕业于清华大学哲学系，1952年同系研究生毕业。中国科学院软件研究所研究员。60年代中从事自动机理论研究，证明计算机转移命令的许多结构性性质，如转移命令可用循环代替，它比Bohm－Jacopi定理早一年。70年代中从事结构程序设计与结构化语……

孙钟秀

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孙钟秀，计算机科学家。原籍浙江余杭，生于江苏南京。1957年毕业于南京大学数学系。南京大学技术科学学院院长、教授。主持研制了国产系列计算机DJS200系列的DJS200／XT1和DJS200／XT1P等操作系统。在国内首次研制成功ZCZ分布式微型计算机系统。研究和开发了多个实用的分布式计算机系统，如……

阙端麟

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阙端麟，半导体材料专家。福建福州人。1951年毕业于厦门大学。浙江大学教授。1964年在国内首先用硅烷法制成纯硅及高纯硅烷负责并领导了极高阻硅单晶的研制，并成功地研制出探测器级硅单晶。在硅单晶电学测试方面，进行了新的测试方法和理论研究，提出了双频动态电导法和间歇加热法测试硅材料导电型号发展了单色红外……